Сенсорные экраны, touchscreen, сенсорные киоски, Polyswitch, термопринтеры, силовые реле от Конкур электрикСенсорные экраны, touchscreen, сенсорные киоски, Polyswitch, термопринтеры, силовые реле от Конкур электрик
электромеханические, электронные и системные компоненты
(812) 441-36-38; (495) 755-93-29
 
Найти:    

Оперативная память DRAM от Delson Technology

Оперативная память DRAM от Delson Technology Компания Delson Technology выпускает широкую линейку чипов и модулей DRAM-памяти. Среди них, в том числе, имеются микросхемы в индустриальном исполнении и с пониженным энергопотреблением (DDR2, DDR3 low power).

  • Чипы и модули SDRAM, DDR, DDR2, DDR3
  • Коммерческое и индустриальное исполнение
  • Производство "под заказ", в т.ч. для высоконадежных применений
  • Короткие сроки поставки
  • Долгий "срок жизни" выпускаемых чипов
  • OEM-производство
  • Техническая поддержка и образцы

Объем Артикул Организация Напряжение Скорость (MHz) Тайминги памяти Корпус Статус RoHS Описание
128Mb D54C3128164VEI7 8M x 16 3.3V 143 3 TSOP P Y Download
256Mb D54C3256164VHI7 16M x 16 3.3V 143 3 TSOP P Y
256Mb D54C3256164VJI7 16M x 16 3.3V 143 3 TSOP P Y


* Status: P=Mass Production, S(Time)=Samples(Ready Time), UD(Time)=Under Development(Ready Time), EOL=End of life.
Объем Артикул Организация Напряжение Скорость (MHz) Тайминги памяти Корпус Статус RoHS Описание
256Mb D58C2256164SHI5 16M x 16 2.5V 400 3-3-3 TSOP EOL Y
256Mb D58C2256164SJI5 16M x 16 2.5V 400 3-3-3 TSOP P Y
256Mb D58C2256164ZTI5 16M x 16 2.5V 400 3-3-3 TSOP P Y
512Mb D58C2512164SDI5 32M x 16 2.5V 400 3-3-3 TSOP EOL Y
512MB D58C2512164ETI5 32M x 16 2.5V 400 3-3-3 TSOP EOL Y
512Mb D58C2512164SFI5 32M x 8 2.5V 400 3-3-3 TSOP P Y
512Mb D58C2512804SDI5 64M x 8 2.5V 400 3-3-3 TSOP P Y

* Status: P=Mass Production, S(Time)=Samples(Ready Time), UD(Time)=Under Development(Ready Time), EOL=End of life.
Объем Артикул Организация Напряжение Скорость (MHz) Тайминги памяти Корпус Статус RoHS Описание
512Mb D59C1512164QDJ25 32M x 16 1.8V 800 5-5-5 FBGA EOL Y
512Mb D59C1512164ZTJ25 32M x 16 1.8V 800 5-5-5 FBGA P Y
512Mb D59C1512164QEJ25 32M x 16 1.8V 800 5-5-5 FBGA P Y
512Mb D59C1512804QDJ25 64M x 8 1.8V 800 5-5-5 FBGA P Y
1Gb D59C1G01168QCJ25 64M x 16 1.8V 800 5-5-5 FBGA EOL Y
1Gb D59C1G01168QCJ25A 64M x 16 1.8V 800 6-6-6 FBGA EOL Y
1Gb D59C1G01168QCJ3 64M x 16 1.8V 667 5-5-5 FBGA P Y
1Gb D59C1G01168GGJ25 64M x 16 1.8V 800 5-5-5 FBGA EOL Y
1Gb D59C1G01168QDJ25 64M x 16 1.8V 800 5-5-5 FBGA P Y
1Gb D59C1G01808QCJ25 128M x 8 1.8V 800 5-5-5 FBGA EOL Y
1Gb D59C1G01808QDJ25 128M x 8 1.8V 800 5-5-5 FBGA P Y
1Gb D59C1G01808QCJ3 128M x 8 1.8V 667 5-5-5 FBGA P Y
2Gb D59C1G02168QBP25A 128M x 16 1.8V 800 6-6-6 FBGA EOL Y
2Gb D59C1G02168QCP25A 128M x 16 1.8V 800 6-6-6 FBGA P Y

* Status: P=Mass Production, S(Time)=Samples(Ready Time), UD(Time)=Under Development(Ready Time), EOL=End of life.
Объем Артикул Организация Напряжение Скорость (MHz) Тайминги памяти Корпус Статус RoHS Описание
128Mb D73CAG01808RAJI9 128M x 8 1.5V 1333 9-9-9 FBGA P Y
1Gb D73CAG01168CFJI9 64M x 16 1.5V 1333 9-9-9 FBGA EOL Y
1Gb D73CAG01168RBJI9 64M x 16 1.5V 1333 9-9-9 FBGA P Y
1Gb D73CAG01168RDJJ11 64M x 16 1.5V 1600 11-11-11 FBGA P Y
2Gb D73CAG02168RUFJK11 128M x 16 1.5V 1600 11-11-11 FBGA P Y
2Gb D73CAG02168CGJI9 128M x 16 1.5V 1333 9-9-9 FBGA P Y
2Gb D73CAG02168RBJI9 128M x 16 1.5V 1333 9-9-9 FBGA P Y
2Gb D73CAG02168CGJI11 128M x16 1.5V 1600 11-11-11 FBGA EOL Y
2Gb D73CAG02168RBJJ11 128M x16 1.5V 1600 11-11-11 FBGA EOL Y
2Gb D73CAG02168RCJJ11 128M x16 1.5V 1600 11-11-11 FBGA P Y
2Gb D73CBG02168RCJJ11 128M x16 1.35V 1600 11-11-11 FBGA P Y
2Gb D73CAG02168RBJK13 128M x16 1.5V 1866 13-13-13 FBGA P Y
2Gb D73CAG022568N9JJ11 256M x 8 1.5V 1600 11-11-11 WBGA P Y
2Gb D73CAG02808RBJJ11 256M x 8 1.5V 1600 11-11-11 FBGA P Y
2Gb D73CAG02808RCJJ11 256M x 8 1.5V 1600 11-11-11 FBGA P Y
2Gb D73CAG022568N9JJ9 256M x 8 1.5V 1333 9-9-9 WBGA P Y
4Gb D73CAG04168N9JI9 256M x 16 1.5V 1333 9-9-9 FBGA EOL Y
4Gb D73CAG04168N9JI11 256M x 16 1.5V 1600 11-11-11 FBGA EOL Y
4Gb D73CAG04168RAJI9 256M x 16 1.5V 13333 9-9-9 FBGA P Y
4Gb D73CAG04168RAJJ11 256M x 16 1.5V 1600 11-11-11 FBGA P Y
4Gb D73CAG04168RAJK13 256M x 16 1.5V 1866 13-13-13 FBGA P Y
4Gb D73CBG04168RAJJ11 256M x 16 1.3V 1600 11-11-11 FBGA P Y
4Gb D73CBG04168RAJK13 256M x 16 1.3V 1866 13-13-13 FBGA P Y
4Gb D73CAG04168RCJL14 256M x 16 1.5V 2133 14-14-14 FBGA P Y
4Gb D73CAG04808RAJJ11 64M x 8 x 8 1.5V 1600 11-11-11 FBGA P Y
4Gb D73CAG04808RAJK13 512M x 8 1.5V 1866 13-13-13 FBGA P Y

* Status: P=Mass Production, S(Time)=Samples(Ready Time), UD(Time)=Under Development(Ready Time), EOL=End of life.
Объем Артикул Организация Напряжение Скорость (MHz) Тайминги памяти Корпус Статус RoHS Описание
512Mb D916764B24QCFW-F5 64M x 16 1.8V 667 5-5-5-15 So-Dimm P Y
1Gb D916865B28QCJY-F5 64M x 16 1.8V 667 5-5-5-15 So-Dimm P Y
1Gb D916865G28QCJY-F5 128M x 8 1.8V 667 5-5-5-15 So-Dimm P Y
2Gb D916866G28QCJY-G6 128M x 8 1.8V 800 6-6-6-15 So-Dimm P Y
2Gb D916866G28NYJY-G6 128M x 8 1.8V 800 6-6-6-15 So-Dimm P Y

* Status: P=Mass Production, S(Time)=Samples(Ready Time), UD(Time)=Under Development(Ready Time), EOL=End of life.
Объем Артикул Организация Напряжение Скорость (MHz) Тайминги памяти Корпус Статус RoHS Описание
1Gb D936865K28RAJY-I9 128M x 8 1.5V 1333 9-9-9-24 Long Dimm P Y
2Gb D936866K28RAJY-I9 128M x 8 1.5V 1333 9-9-9-24 Long Dimm P Y
1Gb D936865G28RAJY-I9 128M x 8 1.5V 1333 9-9-9-24 So-Dimm P Y
1Gb D936865G28MGJY-I9 128M x 8 1.5V 1333 9-9-9-24 So-Dimm P Y
1Gb D936865G28UEJY-I9 128M x 8 1.5V 1333 9-9-9-24 So-Dimm P Y
2Gb D936866G28RAJY-I9 128M x 8 1.5V 1333 9-9-9-24 So-Dimm P Y
2Gb D936965G2MGJY-I9 128M x 8 1.5V 1333 9-9-9-24 So-Dimm P Y
2Gb D936966G28RAJY-I9 256M x 8 1.5V 1333 9-9-9-24 So-Dimm P Y
2Gb D936966G28UEJY-I9 256M x 8 1.5V 1333 9-9-9-24 So-Dimm P Y
4Gb D937066G2RAJY-I9 512M x 8 1.5V 1333 9-9-9-24 So-Dimm P Y
4Gb D937066G2MGJY-I9 512M x 8 1.5V 1333 9-9-9-24 So-Dimm P Y
8Gb D937166G2RAJY-I9 512M x 8 1.5V 1333 9-9-9-24 So-Dimm P Y
8Gb D937166G2MGJY-I9 512M x 8 1.5V 1333 9-9-9-24 So-Dimm P Y
8Gb D937166G2USPK-I9 1024M x 8 1.5V 1333 9-9-9-24 So-Dimm P Y

* Status: P=Mass Production, S(Time)=Samples(Ready Time), UD(Time)=Under Development(Ready Time), EOL=End of life.
SDRAM

Объем Артикул Организация Напряжение Скорость (MHz) Тайминги памяти Корпус Статус RoHS Описание
128Mb D54C3128164VFI7I 8M x 16 3.3V 143 3 TSOP P Y
256Mb D54C3256164VJI7I 16M x 16 3.3V 143 3 TSOP P Y

DDR I

Объем Артикул Организация Напряжение Скорость (MHz) Тайминги памяти Корпус Статус RoHS Описание
256Mb D58C2256164SHI5I 16M x 16 2.5V 400 3-3-3 TSOP EOL Y
256Mb D58C2256164SII5I 16M x 16 2.5V 400 3-3-3 TSOP EOL Y
512Mb D58C2512164SDI5I 32M x 16 2.5V 400 3-3-3 TSOP EOL Y
512Mb D58C2512804SDI5I 64M x 8 2.5V 400 3-3-3 TSOP EOL Y


DDR II

Объем Артикул Организация Напряжение Скорость (MHz) Тайминги памяти Корпус Статус RoHS Описание
512Mb D59C1512164QDJ25I 32M x 16 1.8V 800 5-5-5 FBGA EOL Y
512Mb D59C1512164QGJ25I 32M x 16 1.8V 800 5-5-5 WBGA P Y
1Gb D59C1G01168QCJ25I 64M x 16 1.8V 800 5-5-5 FBGA P Y
1Gb D59C1G01168QDJ25I 64M x 16 1.8V 800 5-5-5 FBGA P Y
1Gb D59C1G01808QCJ25I 128M x 8 1.8V 800 5-5-5 FBGA P Y

DDR III

Объем Артикул Организация Напряжение Скорость (MHz) Тайминги памяти Корпус Статус RoHS Описание
2Gb D73CBG02168N9JI9I 128M x 16 1.35V 1333 9-9-9 FBGA P Y
2Gb D73CBG02168N9JI11I 128M x 16 1.35V 1600 11-11-11 FBGA P Y
2Gb D73CAG02168RBJJ11I 128M x 16 1.5V 1600 11-11-11 FBGA EOL Y
2Gb D73CAG02168RCJJ11I 128M x 16 1.5V 1600 11-11-11 FBGA P Y
2Gb D73CBG02168RBJJ11I 128M x 16 1.35V 1600 11-11-11 FBGA P Y
4Gb D73CBG04168RAJJ11I 256M x 16 1.35V 1600 11-11-11 FBGA EOL Y
4Gb D73CBG04168RCJJ11I 256M x 16 1.35V 1600 11-11-11 FBGA P Y

* Status: P=Mass Production, S(Time)=Samples(Ready Time), UD(Time)=Under Development(Ready Time), EOL=End of life.
Konkur Electric
197342, г. Санкт-Петербург,
Белоостровская, д. 28, офис 428

105484, г. Москва,
ул. 16-я Парковая, д.21,
корп.1, офис 413
Copyright © ЗАО «Конкур электрик» - электромеханические, электронные и системные компоненты, термопринтеры, сенсорные экраны, touch screen
Частичное или полное копирование материала, размещенного на сайте, без согласия ЗАО «Конкур электрик» запрещено.
Поиск электронных компонентов
Поиск электронных компонентов